三星集团芯片，三星电子 扩产
发布时间：2024-12-22 02:31:30 作者：玩站小弟 
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我要评论IT之家8月7日讯《彭博法律》 据路透社报道，哈佛大学周一在德克萨斯州东区联邦地区法院指控三星电子侵犯微处理器和内存制造领域的两项专利。法庭。IT House从起诉书中称，哈佛大学化学系教授Roy
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IT之家8月7日讯《彭博法律》 据路透社报道，星集哈佛大学周一在德克萨斯州东区联邦地区法院指控三星电子侵犯微处理器和内存制造领域的团芯两项专利。法庭。片星
IT House从起诉书中称，电扩哈佛大学化学系教授Roy G. Gordon是星集这两项专利的发明人，哈佛大学是团芯这些专利的受让人，哈佛大学对相应专利拥有完全权利。片星我有。电扩
与三星美国办公设施相关的两项专利分别涉及沉积含钴和钨的薄膜的方法：“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”和“氮化钨的气相沉积”。标题为。团芯哈佛大学表示，片星“此类薄膜对于许多产品的电扩关键部件至关重要，包括计算机和手机”。星集
哈佛大学认为，团芯三星电子侵犯了哈佛大学关于在高通Snapdragon 8 Gen 1 处理器等OEM 制造过程中制造氮化钴薄膜的片星专利，该专利涉及三星S22 智能手机等产品。
当三星制造LPDDR5X 和其他存储器时，三星的Galaxy Z Flip5 可折叠手机使用了哈佛大学钨层沉积专利相关LPDDR5X 存储器产品的至少一项权利要求的所有元素。
在起诉书中，哈佛大学要求三星电子停止侵权活动并支付未具体说明的金钱赔偿。
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